辣條鯊手 作品
第二百七十一章 成功了！光刻工廠實現了！(第2頁)
自動取片。
自動清洗。
自動塗膠。
自動光刻。
這就是光刻工廠，亦或者說光刻全自動工廠。
兩塊光掩膜版已經重疊，他們在特定
這也是為什麼第一期的光刻工廠只有5000平的原因，因為建造太大也沒用，像靜電吸盤和各類自動化運輸的設備，都是需要定製化購買的，關鍵有些設備國內還沒有，比如靜電吸盤設備。
第一期相當於測試，等測試通過就可以擴建二期、三期甚至是第四期的光刻工廠。
當然了。
前提是可以能光刻成功。
“我們沒有單獨完整的soC上帝芯片光掩膜版，只能用兩塊陰陽掩膜版堆疊在一塊形成完整圖案，這又會出現個問題。”
林天喃喃自語。
像似給陳星幾人解釋，又像似說給自己聽。
“那就是兩塊光掩膜版堆疊，兩塊透明基板會削弱極紫外光能量，導致光刻失敗。”
“為了解決這個問題，我加大了粒子加速器的功率，讓電子運動的速度再次增加。”
“理論上來說，運行功率的加大，會同步放大電子運動的速度，電子在環形存儲器的速度越快，輻射出的極紫外光能量就越強，但我並不能確定這個數值是不是正確的，只能說理論可行。”
光刻工廠沒有人測試過，誰也不知道行不行。
現在又因為光掩膜版限制，林天只能加大功率，這給測試又增添了不小的難度。
“試試就知道了。”
陳星默默舉起手機拍攝。
雖然他們在操控室，但面前的屏幕有顯示潔淨室的畫面，根本不需要親自前往。
林天微微頷首，沒有說話，他雙眸注視著監控畫面，神色也顯得格外緊張。
烘乾冷卻，塗滿光刻膠的半導體硅片已經被運往了光刻區域，只剩下最後的光刻步驟。
隨著透鏡組移動到指定位置，13.5納米波長的極紫外光發生了折射，精準地照射在兩塊圖案互補的光掩膜版上，而光掩膜版上面的完整圖案被照射後，最終落到待曝光的半導體硅片表面。
“滋——”
Arf光刻膠遇到光源，內部開始發生化學反應。
而Arf光刻膠又分正膠和反膠，這次曝光用的是正膠，被曝光區域的光刻膠會發生化學反應，沒曝光區域則不受到影響。
一塊區域被曝光後，透鏡組立馬移動，側開照射光源，待移動平臺調整後繼續移回正位，對下一個區域進行光刻曝光。
12寸半導體硅片，大概能產出232塊1.6x1.6的成品裸片，也就是說需要曝光232次。
目前來說，曝光一次的速度大概在1秒，這就需要232秒，也就是差不多4分鐘才能把一張半導體硅片全部曝光完成。
雖然這個速度相比較於光刻機慢了差不多一倍，可光刻工廠畢竟是國產自研，而且是第一代產物，後續透鏡組和移動平臺還能繼續優化，追趕上光刻機的光刻速度不是不可能的。
在等待了四分鐘後，林天看向陳星等人解釋道：“考慮到兩塊光掩膜版的能量消耗，我們先不急著拿去顯影，讓半導體硅片再次加熱，加劇光刻膠的化學反應。”
陳星、雷兵、夏揚微微頷首，都在等待著結果。
現在這裡陳星算半個門外漢，雷兵、夏揚則是都是門外漢，只能聽林天安排。
他別說拿去烤了，哪怕是燒，他們也會覺得很合理。
隨著林天輸入指令，本該送去顯影的半導體硅片被傳送去了烘烤區域，進行二次加熱，加劇Arf光刻膠內部的化學反應。
當這步完成以後，半導體硅片再次被運輸，它來到了顯影區域。
先用去離子水潤溼硅片，緊接著把硅片放在顯影平臺，上方的機器設備噴出顯影液，均勻地撒在半導體硅片表面，進一步溶解被曝光的部分區域。
隨著這個步驟完成，半導體硅片表面已經清晰可見電路圖案，只差最後的沖洗，將未曝光部分黏著的光刻膠全部清洗掉。
“我好像看見圖案了。”
雷兵瞪大雙眼，不敢錯過任何一絲的細節。
“我也看見了。”夏揚附和道。
自動清洗。
自動塗膠。
自動光刻。
這就是光刻工廠，亦或者說光刻全自動工廠。
兩塊光掩膜版已經重疊，他們在特定
這也是為什麼第一期的光刻工廠只有5000平的原因，因為建造太大也沒用，像靜電吸盤和各類自動化運輸的設備，都是需要定製化購買的，關鍵有些設備國內還沒有，比如靜電吸盤設備。
第一期相當於測試，等測試通過就可以擴建二期、三期甚至是第四期的光刻工廠。
當然了。
前提是可以能光刻成功。
“我們沒有單獨完整的soC上帝芯片光掩膜版，只能用兩塊陰陽掩膜版堆疊在一塊形成完整圖案，這又會出現個問題。”
林天喃喃自語。
像似給陳星幾人解釋，又像似說給自己聽。
“那就是兩塊光掩膜版堆疊，兩塊透明基板會削弱極紫外光能量，導致光刻失敗。”
“為了解決這個問題，我加大了粒子加速器的功率，讓電子運動的速度再次增加。”
“理論上來說，運行功率的加大，會同步放大電子運動的速度，電子在環形存儲器的速度越快，輻射出的極紫外光能量就越強，但我並不能確定這個數值是不是正確的，只能說理論可行。”
光刻工廠沒有人測試過，誰也不知道行不行。
現在又因為光掩膜版限制，林天只能加大功率，這給測試又增添了不小的難度。
“試試就知道了。”
陳星默默舉起手機拍攝。
雖然他們在操控室，但面前的屏幕有顯示潔淨室的畫面，根本不需要親自前往。
林天微微頷首，沒有說話，他雙眸注視著監控畫面，神色也顯得格外緊張。
烘乾冷卻，塗滿光刻膠的半導體硅片已經被運往了光刻區域，只剩下最後的光刻步驟。
隨著透鏡組移動到指定位置，13.5納米波長的極紫外光發生了折射，精準地照射在兩塊圖案互補的光掩膜版上，而光掩膜版上面的完整圖案被照射後，最終落到待曝光的半導體硅片表面。
“滋——”
Arf光刻膠遇到光源，內部開始發生化學反應。
而Arf光刻膠又分正膠和反膠，這次曝光用的是正膠，被曝光區域的光刻膠會發生化學反應，沒曝光區域則不受到影響。
一塊區域被曝光後，透鏡組立馬移動，側開照射光源，待移動平臺調整後繼續移回正位，對下一個區域進行光刻曝光。
12寸半導體硅片，大概能產出232塊1.6x1.6的成品裸片，也就是說需要曝光232次。
目前來說，曝光一次的速度大概在1秒，這就需要232秒，也就是差不多4分鐘才能把一張半導體硅片全部曝光完成。
雖然這個速度相比較於光刻機慢了差不多一倍，可光刻工廠畢竟是國產自研，而且是第一代產物，後續透鏡組和移動平臺還能繼續優化，追趕上光刻機的光刻速度不是不可能的。
在等待了四分鐘後，林天看向陳星等人解釋道：“考慮到兩塊光掩膜版的能量消耗，我們先不急著拿去顯影，讓半導體硅片再次加熱，加劇光刻膠的化學反應。”
陳星、雷兵、夏揚微微頷首，都在等待著結果。
現在這裡陳星算半個門外漢，雷兵、夏揚則是都是門外漢，只能聽林天安排。
他別說拿去烤了，哪怕是燒，他們也會覺得很合理。
隨著林天輸入指令，本該送去顯影的半導體硅片被傳送去了烘烤區域，進行二次加熱，加劇Arf光刻膠內部的化學反應。
當這步完成以後，半導體硅片再次被運輸，它來到了顯影區域。
先用去離子水潤溼硅片，緊接著把硅片放在顯影平臺，上方的機器設備噴出顯影液，均勻地撒在半導體硅片表面，進一步溶解被曝光的部分區域。
隨著這個步驟完成，半導體硅片表面已經清晰可見電路圖案，只差最後的沖洗，將未曝光部分黏著的光刻膠全部清洗掉。
“我好像看見圖案了。”
雷兵瞪大雙眼，不敢錯過任何一絲的細節。
“我也看見了。”夏揚附和道。