第八十二章 時間緊迫，提前囤積零件

　
經過了一晚上的休息，隔天一早，林天就迫不及待地親自前往龍芯國際操刀光掩膜版的生產製作。

陳星與曲程沒有急著離開魔都，而是共同前去觀摩。

他們都想看看，林天到底是不是那麼全能。

龍芯國際實驗室內，已經聚集了大批抱著學習態度，前來觀看的光刻工程師。

面對數十位光刻工程師組成的圍觀學習人群，林天也沒有半點怯場，眼神平靜且專注，與前一天吊兒郎當的樣子判若兩人，輕車熟路地開始了光掩膜版的初步製作。

光掩膜版的製作流程與芯片生產同理，同樣要經過圖形制作與轉換、曝光、顯影、蝕刻、脫模、清洗、缺陷檢查、缺陷修補、出貨清洗、貼膜十個主要步驟，但又與芯片生產不同。

芯片生產，光刻機曝光，而光掩膜版可不能依靠光刻機曝光，而是需要用到激光/電子束直寫方式對Blankmask（光掩膜版材料）進行曝光。

當正性光刻膠被曝光後，化學結構發生變化，產生光酸，通過顯影液作用，被曝光的部分光刻膠溶解，而負性光刻膠被曝光部分結構交聯，生成不易溶穩定化學結構，再通過顯影液作用，曝光部分得以保留。

正所謂！

行家一出手，便知有沒有！

林天前面步驟完全正確，沒有半點外行的影子，而且過程行雲流水，絲毫沒有半點拖沓，像是一位經歷過上萬次光掩膜版製作的老手，一切都水到渠成。

這也讓高永明、唐鑫宇，以及一眾圍觀的光刻工程師們打心底佩服，懂光刻機，懂掩膜版，這簡直就是全能天才啊！

在等待第一次流片的蝕刻空隙，龍芯國際的副首席工程師唐鑫宇搓了搓手，再也忍不住請教了：“打擾一下林工，駐波效應你有什麼好辦法解決嗎？”

駐波效應，在光刻過程中，會有一部分光被反射回來，這個反射的光和原來的入射光頻率相同，會相互干涉，導致光阻層中光強度的分佈不均，呈現出交替的亮暗區域，導致流片失敗。

如何有效削減駐波效應，一直是他們頭疼的問題。

林天移開鎖定在設備上的目光，淡淡說道：“使用tArC，BArC等抗反射層材料，或者進行加熱烘烤，用高溫促進光敏劑的擴散，一定程度上彌補了光強分佈不均的問題，在顯影過程中可以得到更均勻的圖案剖面。”

聲音不大，卻傳遍實驗室。

龍芯國際的工程師沒有遲疑，立馬掏出記事本記錄。

別看這位“林工”年輕，他在光刻領域的成就與造詣，早已經遠超在場所有人。

然而。

就在這時。

趕了最近一班飛機，連夜飛回來的馮承銘開口道：“如果用氧化鉻做為抗反射層，也能消除大部分的駐波效應？”

“嗯。”

林天點了點頭，脫口而出道：“用氧化鉻做為抗反射層，厚度20納米，可以有效解決駐波效應。”

馮承銘：“為什麼是20納米？”

“20納米的厚度，已經可以解決大部分駐波效應，21納米，用不上，19納米不夠用。”

林天淡淡回答道。

兩人的一問一答，讓默默觀看的陳星驚歎，紅色品質人才果然有點變態啊！